RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
71
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
71
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
1799
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link