RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
45
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
2416
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link