RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
45
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3199
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link