RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
45
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3199
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link