RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
45
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
4230
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link