RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
45
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3098
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link