RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
45
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.2
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
25.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
19.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
4167
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Inmos + 256MB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link