RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
45
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
18
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3507
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link