RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
45
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
18
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3507
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link