RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
45
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3258
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link