RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
91
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
4.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
91
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
6.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
4.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
1214
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link