RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
45
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.1
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
23.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
19.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
4276
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link