RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
45
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3037
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link