RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
45
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
2292
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston HP698650-154-MCN 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link