Porównanie pamięci RAM Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Inmos + 256MB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Inmos + 256MB

Wynik ogólny

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Powody do rozważenia
Inmos + 256MB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

30 45

Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

9.1 7.8

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

16800 12800

Wokół strony 1.31 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Inmos + 256MB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1939 2318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns