RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
7.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
45
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
12
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
2154
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link