RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
45
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3609
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB Porównanie pamięci RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link