RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
45
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
12
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
43
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
2128
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
INTENSO 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link