RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
45
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3414
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link