RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Super Talent F24EB8GS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Super Talent F24EB8GS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Super Talent F24EB8GS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
45
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3017
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Super Talent F24EB8GS 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link