RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
50
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
50
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
2064
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991586 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
SK Hynix HYMP351F72AMP4N3Y5 4GB
Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link