RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
45
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3847
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB Porównanie pamięci RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link