RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
45
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3136
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link