RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
45
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3754
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link