RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
64
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
64
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2107
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link