RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
45
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2971
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link