RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
45
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3740
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link