RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
45
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3434
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kllisre 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link