RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
45
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
41
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2395
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link