RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
45
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3779
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link