RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
45
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3404
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link