RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
45
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3363
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link