RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
50
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
50
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3277
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link