RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
45
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3140
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link