RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
45
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3402
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link