RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
45
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2702
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Super Talent F24UB16GV 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link