RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
45
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2426
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link