RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
45
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2426
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Crucial Technology BLT8G3D1869DT1TX0. 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link