RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
45
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2384
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link