RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
45
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3023
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated OP:71100 03/13 2M 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kllisre 0000 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link