RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
45
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2971
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link