RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
68
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
68
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
1924
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link