RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
45
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
23.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
18.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
4114
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link