RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
45
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3001
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link