RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
45
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3052
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link