RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
45
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2585
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link