RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
45
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3832
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Mushkin 996902 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link