RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
45
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3832
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
INTENSO 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link