RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
45
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3437
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link