RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
45
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3227
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link