RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
45
Wokół strony -125% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
20
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3234
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link