RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
45
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3987
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link