RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
45
Wokół strony -105% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
17.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
4142
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M393B1K73DH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link