RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
45
Wokół strony -105% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
21.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3987
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link